©2001 仙童 半导体 公司
KSC1008
rev. a1, 8月 2001
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 根基-发射级 在 电压
图示 5. 集电级 输出 电容
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
I
B
= 1.8ma
I
B
= 1.6ma
I
B
= 1.4ma
I
B
= 1.2ma
I
B
= 1.0ma
I
B
= 0.8ma
I
B
= 0.6ma
I
B
= 0.4ma
I
B
= 0.2ma
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
1 10 100 1000
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
V
CE
= 2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
V
是
(sat)
V
CE
(sat)
I
C
=10I
B
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1
10
100
1000
V
CE
=2V
I
C
[ma], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
1 10 100
1
10
100
f=1MHz
I
E
=0
C
ob
[pf],capactiance
V
CB
[v], 集电级-根基 电压