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资料编号:470695
 
资料名称:MAT03FH
 
文件大小: 254.07K
   
说明
 
介绍:
Low Noise, Matched Dual PNP Transistor
 
 


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MAT03
–3–
rev. b
MAT03N
参数 标识 情况 限制 单位
损坏 电压 BV
CEO
36 v 最小值
补偿 电压 V
OS
I
C
= 100
µ
一个, v
CB
= 0 v 200
µ
v 最大值
10
µ
一个
I
C
1 毫安 200
µ
v 最大值
电流 增益 h
FE
I
C
= 1 毫安, v
CB
= 0 v, –36 v 80 最小值
I
C
= 10
µ
一个, v
CB
= 0 v, –36 v 60 最小值
电流 增益 相一致
h
FE
I
C
= 100
µ
一个, v
CB
= 0 v 6 % 最大值
补偿 电压 改变 vs. v
CB
V
OS
/
V
CB
V
CB1
= 0 v, i
C
= 100
µ
一个 200
µ
v 最大值
V
CB2
= –36 v 200
µ
v 最大值
补偿 电压 改变
V
OS
/
I
C
V
CB
= 0 75
µ
v 最大值
vs. 集电级 电流 I
C1
= 10
µ
一个, i
C2
= 1 毫安 75
µ
v 最大值
大(量) 阻抗 r
10
µ
一个
I
C
1 毫安 0.75
最大值
集电级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
= 1 毫安, i
B
= 100
µ
一个 0.1 v 最大值
便条:
电的 tests 是 执行 在 薄脆饼 探查 至 这 限制 显示. 预定的 至 变化 在 组装 方法 和 正常的 yield 丧失, yield 之后 包装 是 不 有保证的
为 标准 产品 dice. 咨询 工厂 至 negotiate 规格 为基础 在 dice lot 资格 通过 样本 lot 组装 和 测试.
薄脆饼 测试 限制
(在 25
c, 除非 否则 指出.)
dice 特性
基质 能 是
连接 至 v– 或者
FLOATED
1. 集电级 (1 )
2. 根基 (1 )
3. 发射级 (1 )
4. 集电级 (2)
5. 根基 (2)
6. 发射级 (2 )
绝对 最大 比率
1
集电级-根基 电压 (bv
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 v
集电级-发射级 电压 (bv
CEO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 v
集电级-集电级 电压 (bv
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 v
发射级-发射级 电压 (bv
EE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 v
集电级 电流 (i
C
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
发射级 电流 (i
E
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
总的 电源 消耗
包围的 温度
70
°
C
2
. . . . . . . . . . . . . . . .500 mw
运行 温度 范围
MAT03A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +125
°
C
mat03e/f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–40
°
c 至 +85
°
C
运行 接合面 温度 . . . . . . . . . .–55
°
c 至 +150
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 60 秒) . . . . . . . . . . . . . +300
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . .–65
°
c 至 +150
°
C
注释
1
绝对 最大 比率 应用 至 两个都 dice 和 packaged 设备.
2
比率 应用 至 至-78 不 使用 一个 热温 下沉, 和 lcc; 设备 在 自由 空气 仅有的. 为
至-78, 减额 成直线地 在 6.3 mw/
°
c 在之上 70
°
c 包围的 温度; 为 lcc,
减额 在 7.8 mw/
°
c.
订货 手册
1
V
OS
最大值 温度 包装
模型 (t
一个
= +25
c) 范围 选项
MAT03AH
2
100
µ
V –55
°
c 至 +125
°
C 至-78
MAT03EH 100
µ
V –40
°
c 至 +85
°
C 至-78
MAT03FH 200
µ
V –40
°
c 至 +85
°
C 至-78
注释
1
烧-在 是 有 在 工业的 温度 范围 部分.
2
为 设备 processed 在 总的 遵从 至 mil-标准-883, 增加/883 之后 部分
号码. 咨询 工厂 为 883 数据 薄板.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 mat03 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
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