MC33033
13
motorola 相似物 ic 设备 数据
100 mv
12
17
16
15
图示 24. 电流 波形 尖刺 抑制 图示 25. 场效应晶体管 驱动 预防措施
这 增加 的 这 rc 过滤 将 eliminate current–limit instability 造成
用 这 leading 边缘 尖刺 在 这 电流 波形. 电阻 r
S
应当
是 一个 低 电感 类型.
序列 门 电阻 r
g
将 damp 任何 高 频率 振动 造成
用 这 场效应晶体管 输入 电容 和 任何 序列 线路 入门 在 这
gate–source 电路. 二极管 d 是 必需的 如果 这 负的 电流 在 这
bottom 驱动 输出 超过 50 毫安.
C
R
S
R
100 mv
12
d = 1n5819
D
R
g
R
g
D
R
g
D
17
16
15
100 mv
12
17
16
15
100 mv
12
17
16
15
图示 26. 双极 晶体管 驱动 图示 27. 电流 感觉到 电源 mosfets
D
G
S
R
S
M
K
SENSEFET
这 totem 柱子 输出 能 furnish 负的 根基 电流 为
增强 晶体管 turn–off, 和 这 增加 的 电容 c.
virtually lossless 电流 感觉到 能 是 达到 和 这
implementation 的 sensefet 电源 switches.
t
+
0
–
I
B
根基 承担
除去
V
管脚
9
[
R
S
@
I
pk
@
R
ds(在)
r
dm(在)
)
R
S
电源 地面:
至 输入 源 返回
如果 : sensefet = mpt10n10m
R
S
= 200
Ω
, 1/4 w
然后 :
V
管脚
9
[
0.75 I
pk
13
地
C
C
C
图示 28. 高 电压 boost 供应
图示 29. 差别的 输入 速 控制
这个 电路 发生 v
Boost
为 图示 23.
1.0
µ
/200 v
V
Boost
*
22
1
*
1N5352A
MC1455
5
2
6
0.001
18 k
3
V
M
+ 12
V
C
= 12 v
4
V
M
= 170 v
R
S
Q
* = mur115
8
boost 电流 (毫安)
V
M
+ 4.0
40
7
60
20
V
M
+ 8.0
V
Boost
电压 (v)
R
4
R
2
R
1
R
3
40 k
11
V
B
V
一个
REF
PWM
EA
7
19
9
10
V
管脚
11
+
V
一个
ǒ
R
3
)
R
4
R
1
)
R
2
Ǔ
R
2
R
3
–
ǒ
R
4
R
3
V
B
Ǔ
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