MMFT2955E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压, (v
GS
= 0, i
D
= 250
µ
一个) V
(br)dss
60 — — Vdc
零 门 电压 流 电流,
(v
DS
= 60 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 60 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
—
—
—
—
1.0
50
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流,
(v
GS
= 15 v, v
DS
= 0)
I
GSS
— — 100
nAdc
在 特性
门 门槛 电压, (v
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安) V
gs(th)
2.0 — 4.5 Vdc
静态的 drain–to–source on–resistance, (v
GS
= 10 v, i
D
= 0.6 一个) R
ds(在)
— — 0.3 Ohms
drain–to–source on–voltage, (v
GS
= 10 v, i
D
= 1.2 一个) V
ds(在)
— — 0.48 Vdc
向前 跨导, (v
DS
= 15 v, i
D
= 0.6 一个) g
FS
— 7.5 — mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 20 v,
C
iss
— 460 —
F
输出 电容
(v
DS
=20 v,
V
GS
= 0,
f 1 mhz)
C
oss
— 210 —
pF
反转 转移 电容
f = 1 mhz)
C
rss
— 84 —
切换 特性
(1)
turn–on 延迟 时间
(v 25 V I 1 6 一个
t
d(在)
— 18 —
上升 时间
(v
DD
= 25 v, i
D
= 1.6 一个
V
GS
=10V R
G
= 50 ohms
t
r
— 29 —
ns
turn–off 延迟 时间
V
GS
=10 v, r
G
= 50ohms,
R
GS
= 25 ohms)
t
d(止)
— 44 —
ns
下降 时间
GS
)
t
f
— 32 —
总的 门 承担
(v
DS
= 48 v,I
D
= 1.2 一个,
Q
g
— 18 —
C
gate–source 承担
(v
DS
=48 v, i
D
= 1.2 一个,
V
GS
= 10 vdc)
看 计算数量 15 和 16
Q
gs
— 2.8 —
nC
gate–drain 承担
看 计算数量 15 和 16
Q
gd
— 7.5 —
源 流 二极管 特性
(2)
向前 on–voltage I
S
= 1.2 一个, v
GS
= 0 V
SD
— 1.0 — Vdc
向前 turn–on 时间
I
S
= 1.2 一个, v
GS
= 0,
dl
S
/dt = 400 一个/
µ
s
t
在
限制 用 偏离 电感
反转 恢复 时间
dl
S
/dt= 400 一个/
µ
s,
V
R
= 30 v
t
rr
— 90 —
ns
(1) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(2) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
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