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资料编号:491908
 
资料名称:MTD3055VT4
 
文件大小: 81.39K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
 
 


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MTD3055V
http://onsemi.com
5

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
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drain–to–source 二极管 特性
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
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图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source
电压 相比 总的 承担
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图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗

 


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图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流

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



safe 运行 范围
这 向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这 最大 同时发生的 drain–to–source 电压 和
流 电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是
向前 片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰
接合面 温度 和 一个 情况 温度 (t
C
) 的 25
°
c.
顶峰 repetitive 搏动 电源 限制 是 决定 用 使用
这 热的 回馈 数据 在 conjunction 和 这 程序
discussed 在 an569, “transient 热的
resistance–general 数据 和 它的 使用.”
切换 在 这 off–state 和 这 on–state 将
traverse 任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流
(i
DM
) 也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过 和 这
转变时间 (t
r
,t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加 这 总的
电源 averaged 在 一个 完全 切换 循环 必须 不
超过 (t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
一个 电源 场效应晶体管 designated e–fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和 unclamped inductive 负载. 为
可依靠的运作, 这 贮存 活力 从 电路 电感
dissipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少
比 这 评估 限制 和 调整 为 运行 情况
differing从 那些 指定. 虽然 工业 实践 是
至 比率 在 条款 的 活力, avalanche 活力 能力 是 不
一个 常量. 这 活力 比率 减少 non–linearly 和 一个
增加 的 顶峰 电流 在 avalanche 和 顶峰 接合面
温度.
虽然 许多 e–fets 能 承受 这 压力 的
drain–to–source avalanche 在 电流 向上 至 评估 搏动
电流 (i
DM
), 这 活力 比率 是 指定 在 评估
持续的 电流 (i
D
), 在 一致 和 工业
custom. 这 活力 比率 必须 是 derated 为 温度
作 显示 在 这 accompanying 图表 (图示 12). 最大
活力 在 电流 在下 评估 持续的 i
D
能 safely 是
assumed 至 equal 这 值 表明.
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