MTSF3N02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
I
S
, 源 电流
t, 时间
图示 13. 反转 恢复 时间 (t
rr
)
di/dt = 300 一个/
µ
s
标准 cell 密度
高 cell 密度
t
b
t
rr
t
一个
t
rr
safe 运行 范围
这 向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义 这
最大 同时发生的 drain–to–source 电压 和 流 cur-
rent 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是 向前 片面的.
曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰 接合面 温度
和 一个 情况 温度 (t
C
) 的 25
°
c. 顶峰 repetitive 搏动
电源 限制 是 决定 用 使用 这 热的 回馈 数据
在 conjunction 和 这 程序 discussed 在 an569, “tran-
sient 热的 阻抗 – 一般 数据 和 它的 使用.”
切换 在 这 off–state 和 这 on–state 将
traverse 任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流
(i
DM
) 也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过, 和 那 这
转变 时间 (t
r
, t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加
这 总的 电源 averaged 在 一个 完全 切换 循环
必须 不 超过 (t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
图示 14. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
1
10
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.01
V
GS
= 8 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
10
0.1
直流
10 ms
1
100
100
1 ms
100
µ
s
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