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资料编号:513757
 
资料名称:NDP6020
 
文件大小: 376.54K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndp6020 rev.c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 teMATUre (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = 4.5v
GS
i = 18a
D
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
v , normalized
th
i = 250µa
D
v = v
GS
DS
0 10 20 30 40 50 60
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , dr一个在 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
4.0
D
r , normalized
ds(在)
2.5
3.5
v = 2.0V
GS
2.7
3.0
5.0
4.5
0 10 20 30 40 50 60
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , dr一个在 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 4.5 v
GS
t = 125°C
J
25°C
-55°C
D
r , normalized
ds(在)
0.5 1 1.5 2
0
5
10
15
20
v , gate 至 所以urce 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
125°C
25°C
v = 5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 with
电压 和 流 电流.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
.
图示 4. 在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度
.
图示 5. 转移 特性
.
图示 6. 门 门槛 变化 和
温度
.
0 1 2 3 4 5
0
10
20
30
40
50
60
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = 4.5V
GS
DS
D
2.0
2.7
1.5
2.5
3.0
3.5
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