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资料编号:513854
 
资料名称:NDS8426A
 
文件大小: 330.01K
   
说明
 
介绍:
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds8426a rev.b1
0 0.5 1 1.5 2
0
10
20
30
40
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v =4.5v
GS
DS
D
1.5
2.7
2.5
3.5
2.0
0 8 16 24 32 40
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 2.0 v
GS
D
r , normalized
ds(在)
4.5
2.7
3.5
3.0
2.5
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
.
典型 电的 特性
0 10 20 30 40
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v =4.5v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
.
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
8
16
24
32
40
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25
125
v = 5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
v , normalized
gs(th)
i = 250µa
D
v = v
GS
DS
图示 5. 转移 特性
.
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度
.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = 4.5v
GS
i = 10.5a
D
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