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NZT651
直流 典型 特性
(持续)
交流 典型 特性
根基-发射级 饱和
电压 vs 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i    - 集电级 电流  (一个)
v       - base-EMITTEr 电压(v)
BESAT
C
ββ
= 10
- 40 ºc
25 °c
125 °c
根基-发射级 在 电压 vs
集电级 电流
P4P
0.1 1 10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
i    - 集电级 电流  (一个)
v       - 根基-发射级 在 电压 (v)
是(在)
C
v     = 5v
CE
- 40 ºC
25 °c
125 °c
Collector-截止电流
vs ambient 温度er一个ture
P4P
25 50 75 100 125 150
0.01
0.1
1
10
100
t   - ambient temperature ( c)
i     - 集电级 currENt (na)
一个
v    = 50v
CB
º
CBO
npn 电流 驱动器 晶体管
(持续)
接合面 电容 vs.
反转 偏差 电压

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NZT651 直流典型特性 (持续) 交流典型特性根基-发射级饱和电压 vs 集电级电流 0.01 0.1 1 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i - 集电级电流 (一个) v - base-EMITTEr 电压(v) BESAT C ββ = 10 - 40 ºc 25 °c 125 °c 根基-发射级在电压 vs 集电级电流 P4P 0.1 1 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 i - 集电级电流 (一个) v - 根基-发射级在电压 (v) 是(在) C v = 5v CE - 40 ºC 25 °c 125 °c Collector-截止电流 vs ambient 温度er一个ture P4P 25 50 75 100 125 150 0.01 0.1 1 10 100 t - ambient temperature ( c) i - 集电级 currENt (na) 一个 v = 50v CB º CBO npn 电流驱动器晶体管 (持续) 接合面电容 vs. 反转偏差电压

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