P07D03LV_集成电路资料查询网

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oct-14-2002
双 n-频道 增强 模式
地方 效应 晶体管
P07D03LV
sop-8
niko-sem
绝对 最大 比率 (t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数/测试 情况 标识 限制 单位
流-源 电压  V
DS
±30 v
门-源 电压 V
GS
±20 v
T
C
= 25 °c 7
持续的 流 电流
T
C
= 70 °c
I
D
6
搏动 流 电流
1
I
DM
40
一个
T
C
= 25 °c 2
电源 消耗
T
C
= 70 °c
P
D
1.3
W
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
j
, t
stg
 -55 至 150
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) T
L
275
°C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗 标识 典型 最大 单位
接合面-至-包围的
R
θ
JA
 62.5 °c / w
1
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2
职责 循环
≤
1
%
电的 特性 (t
C
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个
30 
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
0.7 11.4
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0v, v
GS
= ±20v    ±100 nA
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v   1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v, t
J
= 55 °c   10
µ
一个
在-状态 流 电流
1
I
d(在)
V
DS
= 5v, v
GS
= 10v 25   一个
g : 门
d : 流
s : 源
产品 summary
V
(br)dss
R
ds(在)
I
D
30
20m
Ω
7A

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1 oct-14-2002 双 n-频道增强模式地方效应晶体管 P07D03LV sop-8 niko-sem 绝对最大比率 (t C = 25 ° c 除非否则指出) 参数/测试情况标识限制单位流-源电压 V DS ±30 v 门-源电压 V GS ±20 v T C = 25 °c 7 持续的流电流 T C = 70 °c I D 6 搏动流电流 1 I DM 40 一个 T C = 25 °c 2 电源消耗 T C = 70 °c P D 1.3 W 接合面 &放大; 存储温度范围 T j , t stg -55 至 150 含铅的温度 ( 1 / 16 ” 从情况为 10 秒.) T L 275 °C 热的阻抗比率热的阻抗标识典型最大单位接合面-至-包围的 R θ JA 62.5 °c / w 1 脉冲波宽度限制用最大接合面温度. 2 职责循环 ≤ 1 % 电的特性 (t C = 25 ° c, 除非否则指出) 限制参数标识测试情况最小值典型值最大值单位静态的流-源损坏电压 V (br)dss V GS = 0v, i D = 250 µ 一个 30 门门槛电压 V gs(th) V DS = v GS , i D = 250 µ 一个 0.7 11.4 V 门-身体泄漏 I GSS V DS = 0v, v GS = ±20v ±100 nA V DS = 24v, v GS = 0v 1 零门电压流电流 I DSS V DS = 20v, v GS = 0v, t J = 55 °c 10 µ 一个在-状态流电流 1 I d(在) V DS = 5v, v GS = 10v 25 一个 g : 门 d : 流 s : 源产品 summary V (br)dss R ds(在) I D 30 20m Ω 7A

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