P28F001BX-T90_集成电路资料查询网

28f001bx-t28f001bx-b
电源 供应 解耦
Flash 记忆 电源 切换 特性 re-
quire 细致的 设备 coupling 系统 designers 是
interested 在 3 供应 电流 issues 备用物品 电流
水平 (i
SB
) 起作用的 电流 水平 (i
CC
) 和 瞬时
顶峰 producted 用 下落 和 rising edges 的 CE


瞬时 电流 magnitudes 取决于 在 这 设备
outputs’ 电容的 和 inductive loading 二-线条
控制 和 恰当的 解耦 电容 选择
将 压制 瞬时 电压 peaks 各自 设备
应当 有 一个 01
m
F 陶瓷的 电容 连接
在 它的 V
CC
和 GND 和 在 它的 V
PP
和
GND 这些 高 frequency 低 固有的-induc-
tance 电容 应当 是 放置 作 关闭 作 pos-
sible 至 这 device Additionally 为 每 8 devices
一个 47
m
F electrolytic 电容 应当 是 放置 在
这 array’s 电源 供应 连接 在 V
CC
和 GND 这 大(量) 电容 将 克服 电压
slumps 造成 用 PC 板 查出 inductances
V
PP
查出 在 打印 电路 Boards
程序编制 flash memories 当 它们 reside 在
这 目标 system 需要 那 这 打印 电路
板 设计者 支付 注意 至 这 V
PP
电源 sup-
ply trace 这 V
PP
管脚 供应 这 记忆 cell cur-
rent 为 programming 使用 类似的 查出 widths 和
布局 仔细考虑 给 至 这 V
CC
电源 bus
足够的 V
PP
供应 查出 和 解耦 将 de-
crease V
PP
电压 尖刺 和 overshoots
V
CC
V
PP
RP

Transitions 和 这
CommandStatus 寄存器
程序编制 和 擦掉 completion 是 不 guaran-
teed 如果 V
PP
drops 在下 V
PPH
 如果 这 V
PP
状态 位 的
这 状态 寄存器 (sr3) 是 设置 至 ‘‘1’’ 一个 Clear
状态 寄存器 command 必须 是 issued 在之前
更远 programerase attempts 是 允许 用 这
WSM Otherwise 这 程序 (sr4) 或者 擦掉
(sr5) 状态 位 的 这 状态 寄存器 将 是 设置
至 ‘‘1’’ 如果 错误 是 detected RP

transitions 至 V
IL
在 程序 和 擦掉 也 abort 这 operations
数据 是 partially 改变 在 也 case 和 这 com-
mand sequence 必须 是 重复的 之后 正常的 运算-
限定 是 restored 设备 poweroff 或者 RP

tran-
sitions 至 V
IL
 clear 这 状态 寄存器 至 最初的 val-
ue 80H
这 Command 寄存器 latches commands 作 是-
sued 用 系统 软件 和 是 不 改变 用 V
PP
或者 CE

transitions 或者 WSM actions 它的 状态 在之上
powerup 之后 exit 从 深的-powerdown 或者 之后
V
CC
transitions 在下 V
LKO
 是 FFH 或者 读 排列
Mode
之后 程序 或者 擦掉 是 complete 甚至 之后 V
PP
transitions 向下 至 V
PPL
 这 Command 寄存器
必须 是 重置 至 读 排列 模式 通过 这 读 排列
command 如果 进入 至 这 记忆 排列 是 desired
电源 UpDown 保护
这 28F001BX 是 设计 至 提供 保护
相反 意外的 erasure 或者 程序编制 在
电源 transitions 在之上 电源-up 这 28F001BX 是
indifferent 作 至 这个 电源 supply V
PP
或者 V
CC

powers 向上 first 电源 供应 sequencing 是 不 re-
quired 内部的 电路系统 在 这 28F001BX 确保
那 这 Command 寄存器 是 重置 至 读 排列
模式 在 电源 up
一个 系统 设计者 必须 守卫 相反 spurious
写 为 V
CC
电压 在之上 V
LKO
当 V
PP
是
active 自从 两个都 我们

和 CE

必须 是 低 为 一个
command write 驱动 也 至 V
IH
将 inhibit
writes 这 Command 寄存器 architecture 提供
一个 增加 水平的 的 保护 自从 改变 的 mem-
ory 内容 仅有的 occurs 之后 successful completion
的 这 二-步伐 command sequences
Finally 这 设备 是 disabled 直到 RP

是 brought
至 V
IH
 regardless 的 这 状态 的 它的 控制 inputs
这个 提供 一个 额外的 水平的 的 protection
28F001BX 电源 消耗
当 designing 可携带的 systems designers 必须
考虑 电池 电源 消耗量 不 仅有的 在
设备 operation 但是 也 为 数据 保持 在
系统 空闲 time Flash nonvolatility 增加 美国-
能 电池 生命 因为 这 28F001BX 做 不
consume 任何 电源 至 retain 代号 或者 数据 当 这
系统 是 off
在 addition 这 28F001BX’s 深的-powerdown 模式
确保 极其 低 电源 消耗 甚至 当
系统 电源 是 applied 为 example laptop 和
其它 PC applications 之后 copying BIOS 至 DRAM
能 更小的 RP

至 V
IL
 producing negligible 电源
consumption 如果 进入 至 这 激励 代号 是 又一次
needed 作 在 情况 的 一个 系统 重置

 这 部分
能 又一次 是 accessed 下列的 这 t
PHAV
wakeup
循环 必需的 之后 RP

是 第一 raised 后面的 至 V
IH

这 第一 地址 提交 至 这 设备 当 在
powerdown 需要 时间 t
PHAV
 之后 RP

tran-
sitions high 在之前 输出 是 valid 更远 交流-
cesses follow 正常的 timing 看 交流 characteris-
ticsread-仅有的 行动 和 图示 12 为 更多
information
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28f001bx-t28f001bx-b 电源供应解耦 Flash 记忆电源切换特性 re- quire 细致的设备 coupling 系统 designers 是 interested 在 3 供应电流 issues 备用物品电流水平 (i SB ) 起作用的电流水平 (i CC ) 和瞬时顶峰 producted 用下落和 rising edges 的 CE   瞬时电流 magnitudes 取决于在这设备 outputs’ 电容的和 inductive loading 二-线条控制和恰当的解耦电容选择将压制瞬时电压 peaks 各自设备应当有一个 01 m F 陶瓷的电容连接在它的 V CC 和 GND 和在它的 V PP 和 GND 这些高 frequency 低固有的-induc- tance 电容应当是放置作关闭作 pos- sible 至这 device Additionally 为每 8 devices 一个 47 m F electrolytic 电容应当是放置在这 array’s 电源供应连接在 V CC 和 GND 这大(量) 电容将克服电压 slumps 造成用 PC 板查出 inductances V PP 查出在打印电路 Boards 程序编制 flash memories 当它们 reside 在这目标 system 需要那这打印电路板设计者支付注意至这 V PP 电源 sup- ply trace 这 V PP 管脚供应这记忆 cell cur- rent 为 programming 使用类似的查出 widths 和布局仔细考虑给至这 V CC 电源 bus 足够的 V PP 供应查出和解耦将 de- crease V PP 电压尖刺和 overshoots V CC V PP RP  Transitions 和这 CommandStatus 寄存器程序编制和擦掉 completion 是不 guaran- teed 如果 V PP drops 在下 V PPH  如果这 V PP 状态位的这状态寄存器 (sr3) 是设置至 ‘‘1’’ 一个 Clear 状态寄存器 command 必须是 issued 在之前更远 programerase attempts 是允许用这 WSM Otherwise 这程序 (sr4) 或者擦掉 (sr5) 状态位的这状态寄存器将是设置至 ‘‘1’’ 如果错误是 detected RP  transitions 至 V IL 在程序和擦掉也 abort 这 operations 数据是 partially 改变在也 case 和这 com- mand sequence 必须是重复的之后正常的运算- 限定是 restored 设备 poweroff 或者 RP  tran- sitions 至 V IL  clear 这状态寄存器至最初的 val- ue 80H 这 Command 寄存器 latches commands 作是- sued 用系统软件和是不改变用 V PP 或者 CE  transitions 或者 WSM actions 它的状态在之上 powerup 之后 exit 从深的-powerdown 或者之后 V CC transitions 在下 V LKO  是 FFH 或者读排列 Mode 之后程序或者擦掉是 complete 甚至之后 V PP transitions 向下至 V PPL  这 Command 寄存器必须是重置至读排列模式通过这读排列 command 如果进入至这记忆排列是 desired 电源 UpDown 保护这 28F001BX 是设计至提供保护相反意外的 erasure 或者程序编制在电源 transitions 在之上电源-up 这 28F001BX 是 indifferent 作至这个电源 supply V PP 或者 V CC  powers 向上 first 电源供应 sequencing 是不 re- quired 内部的电路系统在这 28F001BX 确保那这 Command 寄存器是重置至读排列模式在电源 up 一个系统设计者必须守卫相反 spurious 写为 V CC 电压在之上 V LKO 当 V PP 是 active 自从两个都我们  和 CE  必须是低为一个 command write 驱动也至 V IH 将 inhibit writes 这 Command 寄存器 architecture 提供一个增加水平的的保护自从改变的 mem- ory 内容仅有的 occurs 之后 successful completion 的这二-步伐 command sequences Finally 这设备是 disabled 直到 RP  是 brought 至 V IH  regardless 的这状态的它的控制 inputs 这个提供一个额外的水平的的 protection 28F001BX 电源消耗当 designing 可携带的 systems designers 必须考虑电池电源消耗量不仅有的在设备 operation 但是也为数据保持在系统空闲 time Flash nonvolatility 增加美国- 能电池生命因为这 28F001BX 做不 consume 任何电源至 retain 代号或者数据当这系统是 off 在 addition 这 28F001BX’s 深的-powerdown 模式确保极其低电源消耗甚至当系统电源是 applied 为 example laptop 和其它 PC applications 之后 copying BIOS 至 DRAM 能更小的 RP  至 V IL  producing negligible 电源 consumption 如果进入至这激励代号是又一次 needed 作在情况的一个系统重置   这部分能又一次是 accessed 下列的这 t PHAV wakeup 循环必需的之后 RP  是第一 raised 后面的至 V IH  这第一地址提交至这设备当在 powerdown 需要时间 t PHAV  之后 RP  tran- sitions high 在之前输出是 valid 更远交流- cesses follow 正常的 timing 看交流 characteris- ticsread-仅有的行动和图示 12 为更多 information 15

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