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smart 5 激励 块 记忆 家族
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进步 信息
3.0 principles 的 运作
这 系统 处理器 accesses 这 smart 5激励
块 memories 通过 这 command 用户
接口 (cui), 这个 accepts commands 写
和 标准 微处理器 写 timings 和
ttl-水平的 控制 输入. 这 flash 能 是 切换
在 各自 的 它的 三 读 和 二 写 模式
通过 commands issued 至 这 cui. 一个
comprehensive chart 表明 这 状态 transitions
是 在 附录 一个.
之后 最初的 设备 电源-向上 或者 返回 从 深的
电源-向下 模式, 这 设备 defaults 至 读
排列 模式. 在 这个 模式, manipulation 的 这
记忆 控制 管脚 准许 排列 读, 备用物品,
和 输出 使不能运转 行动. 这 其它 读
模式, 读 identifier 和 读 状态 寄存器, 能
是 reached 用 issuing 这 适合的 command 至
这 cui. 排列 数据, identifier 代号 和 状态
寄存器 结果 能 是 accessed 使用 这些
commands independently 从 这 v
PP
电压.
读 identifier 模式 能 也 是 accessed 用
prom 程序编制 设备 用 raising 一个
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至
高 电压 (v
ID
).
cui commands sequences 也 控制 这 写
功能 的 这 flash 记忆, 程序 和 擦掉.
issuing 程序 或者 擦掉 command sequences
内部 latches 地址 和 数据 和 initiates
写 状态 机器 (wsm) 行动 至 execute
这 要求 写 函数. 这 wsm 内部
regulates 这 程序 和 擦掉 algorithms,
包含 脉冲波 repetition, 内部的 verification, 和
margining 的 数据, freeing 这 host 处理器 从
这些 tasks和 准许 准确的 控制 为 高
可靠性. 至 execute 程序 或者 擦掉
commands, v
PP
必须 是 在 有效的 写 电压 (5 v
或者 12 v).
当 这 wsm 是 executing 一个 程序 运作,
这 设备 defaults 至 这 读 状态 寄存器 模式
和 所有 commands 是 ignored. 因此 在 这
程序编制 处理, 仅有的 状态 寄存器 数据 能
是 accessed 从 这 设备. 当 这 wsm 是
executing 一个 擦掉 运作, 这 设备 也
defaults 至 这 读 状态 寄存器 模式 但是 一个
额外的 command 是 有, 擦掉 suspend 至
读, 这个 将 suspend 这 擦掉 运作 和
准许 读 的 排列 数据. 这 suspended 擦掉
运作 能 是 完成 用 issuing 这 擦掉
重新开始 command. 之后 这 程序 或者 擦掉
运作 有 完成, 这 设备 仍然是 在
读 状态 寄存器 模式. 从 这个 模式 任何 的
这 其它 读 或者 写 模式 能 是 reached 和
这 适合的 command. 为 例子, 至 读
数据, 公布 这 读 排列 command. 额外的
程序 或者 擦掉 commands 能 也 是 issued
从 这个 状态.
在 程序 或者 擦掉 行动, 这 排列 数据
是 不 有 为 读 或者 代号 执行,
除了 在 一个 擦掉 suspend. consequently, 这
软件 那 initiates 和 polls progress 的 程序
和 擦掉 行动 必须 是 copied 至 和
executed 从 系统 内存 在 flash 记忆
更新. 之后 successful completion, 读 是
又一次 可能 通过 这 读 排列 command.
各自 的 这 设备 模式 将 是 discussed 在
detail 在 这 下列的 sections.
3.1 总线 行动
这 local cpu 读 和 写 flash 记忆 在-
系统. 所有 总线 循环 至 或者 从 这 flash 记忆
遵从 至 标准 微处理器 总线循环.
四 控制 管脚 dictate 这 数据 流动 在 和 输出 的
这 组件: ce#, oe#, we#, 和 rp#. 这些
总线 行动 是 summarized 在 tables 3 和 4.
3.1.1 读
这 flash 记忆 有 三 读 模式 有,
读 排列, 读 identifier, 和 读 状态. 这些
读 模式 是 accessible 独立 的 这 v
PP
电压. rp# 能 是 在 也 v
IH
或者 v
HH
. 这
适合的 读-模式 command 必须 是 issued 至
这 cui 至 enter 这 相应的 模式. 在之上
最初的 设备 电源-向上 或者 之后 exit 从 深的
电源-向下 模式, 这 设备 automatically
defaults 至 读 排列 模式.
ce# 和 oe# 必须 是 驱动 起作用的 至 获得 数据
在 这 输出. ce# 是 这 设备 选择 控制,
和, 当 起作用的, 使能 这 选择 记忆
设备. oe# 是 这 数据 输出 (dq
0
–DQ
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) 控制
和 当 起作用的 驱动 这 选择 记忆 数据
面向 这 i/o 总线. 在 读 模式, we# 必须 是 在
V
IH
和 rp# 必须 是 在 v
IH
或者 v
HH
. 图示 15
illustrates 一个 读 循环.
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