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资料编号:54150
 
资料名称:IRG4BC30F
 
文件大小: 167.27K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
 
 


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www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(为 正方形的 波, i=i
RMS
的 基本的; 为 triangular 波, i=i
PK
)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1000
1 10
CE
C
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
v , 集电级-至-发射级 voltage (v)
t = 150
°
C
t = 25
°
C
J
J
v = 15v
20µs 脉冲波 宽度
GE
一个
1
10
100
1000
5678910111213
C
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
t = 25
°
C
t = 150
°
C
J
J
v , 门-至-发射级 voltage (v)
一个
v = 50v
5µs 脉冲波 宽度
CC
加载 电流 ( 一个 )
0
10
20
30
40
50
0.1 1 10 100
f, frequency (kHz)
一个
60% 的 评估
电压
I
完美的 二极管
正方形的 波:
为 两个都:
Duty 循环: 50%
T=125
°
C
T= 90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
triangular 波:
I
Clamp 电压:
80%的 评估
电源 消耗 = 21w
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