2004 三月 23 6
飞利浦 半导体 产品 规格
低 电容 5-fold 静电释放 保护
二极管 arrays 在 sot363 包装
pesd3v3l5uy;
PESD5V0L5UY
graphical 数据
001aaa208
t
p
(
µ
s)
110
4
10
3
10 10
2
10
10
2
P
pp
(w)
1
图.4 顶峰 脉冲波 电源 消耗 作 一个 函数
的 脉冲波 时间; 典型 值.
T
amb
=25
°
c.
I
pp
= 8/20
µ
s exponentially decaying 波形; 看 图.2.
001aaa209
0.4
0.8
0.2
0.6
1.0
0
T
j
(
°
c)
0 15010050
P
pp(t
j
)
P
pp(t
j
=25
°
c)
图.5 相关的 变化 的 顶峰 脉冲波 电源 作 一个
函数 的 接合面 温度; 典型
值.
V
R
(v)
054231
(1)
(2)
001aaa210
10
5
15
25
20
C
d
(pf)
0
图.6 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
(1) pesd3v3l5uy.
(2) pesd5v0l5uy.
f = 1 mhz; t
amb
=25
°
c.
001aaa211
T
j
(
°
c)
−
75
−
25 17512525 75
1
10
10
−
1
I
r(t
j
)
I
r(t
j
=25
°
c)
图.7 相关的 变化 的 反转 泄漏
电流 作 一个 函数 的 接合面
温度; 典型 值.