2004 三月 23 3
飞利浦 半导体 产品 规格
低 电容 quadruple 静电释放
保护 二极管 排列 在 sot353 包装
pesdxl4ug 序列
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
注释
1. 非-repetitive 电流 脉冲波 8/20
µ
s exponentially decaying 波形; 看 图.5.
2. 在 任何 的 管脚 1, 3, 4 或者 5 和 管脚 2.
3. 设备 挂载 在 标准 打印-电路 板.
静电释放 最大 比率
注释
1. 设备 stressed 和 ten 非-repetitive 静电的 释放 (静电释放) 脉冲.
2. 量过的 从 任何 的 管脚 1, 3, 4, 或者 5 至 管脚 2.
静电释放 standards 遵从
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 二极管
I
pp
顶峰 脉冲波 电流 8/20
µ
s; 注释 1 和 2
PESD3V3L4UG
−
3A
PESD5V0L4UG
−
2.5 一个
P
pp
顶峰 脉冲波 电源 8/20
µ
s; 注释 1 和 2
−
30 W
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前
电流
t
p
= 1 ms; 正方形的 脉冲波
−
3.5 一个
I
ZSM
非-repetitive 顶峰 反转
电流
t
p
= 1 ms; 正方形的 脉冲波
PESD3V3L4UG
−
0.9 一个
PESD5V0L4UG
−
0.8 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
=25
°
c; 便条 3
−
300 mW
P
ZSM
非-repetitive 顶峰 反转 电源
消耗
t
p
= 1 ms; 正方形的 脉冲波; 看 图.4
−
6W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
每 二极管
静电释放 静电的 释放 能力 IEC 61000-4-2 (联系
释放); 注释 1 和 2
20 kV
hbm mil-标准 883 10 kV
标准 情况
IEC 61000-4-2, 水平的 4 (静电释放) >15 kv (空气); >8 kv (联系)
hbm mil-标准 883, 类 3 >4 kV
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