飞利浦 半导体
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n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 14 十一月 2001 7 的 14
9397 750 08916
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I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz T
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
GS
=0V
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型
值.
图 12. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 0 60 120 180
T
j
(
o
c)
V
gs(th)
(v)
最大值
典型值
最小值
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V
GS
(v)
I
D
(一个)
maxtypmin
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
10
2
C
(pf)
0
V
DS
(v)
10
2
10
3
10
4
003aaa172
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(v)
40
30
20
10
0
I
S
(一个)
T
j
= 175
ο
C
T
j
= 25
ο
C
003aaa173