飞利浦 半导体
php/phb/phd66nq03lt
n-频道 trenchmos 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 10 12月 2001 5 的 14
9397 750 09119
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 0.25 毫安; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C 25--v
T
j
=
−
55
°
C 22--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 1 1.5
2
V
T
j
= 175
°
C 0.5 - - V
T
j
=
−
55
°
C - - 2.3 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=25v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C - 0.05 10
µ
一个
T
j
= 175
°
C - - 500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 V - 10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=5v; i
D
=25a;图示 7 和 8
T
j
=25
°
C - 12.3 16 m
Ω
T
j
= 175
°
C - 22.1 28.8 m
Ω
V
GS
=10v; i
D
=25A
T
j
=25
°
C - 9.1 12 m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=25v; i
D
=30A - 40 - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 50 一个; v
DD
=15v; v
GS
=5v;图示 13 - 13.5 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 7 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 3.9 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz; 图示 11 - 1150 - pF
C
oss
输出 电容 - 330 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 180 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; i
D
= 25 一个; v
GS
=5v;
R
G
= 5.6
Ω
; resistive 加载
- 1525ns
t
r
上升 时间 - 90 135 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 25 40 ns
t
f
下降 时间 - 2540ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 25 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.95 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 10 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0V - 32 - ns
Q
r
recovered 承担 - 20 - nC
: 点此下载
