飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP37N06T
标准 水平的 场效应晶体管
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0e-06 0.0001 0.01 1 100
0.01
0.1
1
10
zth/ (k/w)
t/s
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0246810
0
20
40
60
80
100
id/一个
vds/v
vgs/v =
16
14
12
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
1 10 100
1
10
100
1000
tp =
1 美国
10us
100 美国
1 ms
10ms
100ms
id/一个
vds/v
rds(在) = vds/id
直流
0 10203040506070
20
25
30
35
40
45
50
55
60
rds(在)/mohm
vgs/v =
6
6.5
7
8
9
10
id/一个
12月 1997 4 rev 1.200
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