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飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS

晶体管 PHT8N06LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.13.  典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 情况: i
D
= 7 一个; 参数 v
DS
图.14.   典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15.   normalised avalanche 活力 比率.
W
DSS
% = f(t
sp
); 情况: i
D
= 2.5 一个
图.16.   avalanche 活力 测试 电路.
024681012
0
1
2
3
4
5
6
vds/v
qg/nc
vds = 14v
vds = 44v
20 40 60 80 100 120 140
tmb /   c
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0 0.5 1 1.5 2
0
10
20
30
40
如果/一个
vsds/v
tj/v =
150
25
L
t.u.t.
VDD
RGS
r 01
VDS
-id/100
+
-
调往
VGS
0
W
DSS
=
0.5
⋅
LI
D
2
⋅
BV
DSS
/(
BV
DSS
−
V
DD
)
january 1998 6 rev 1.100

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飞利浦半导体产品规格 TrenchMOS  晶体管 PHT8N06LT 逻辑水平的场效应晶体管图.13. 典型转变-在门-承担特性. V GS = f(q G ); 情况: i D = 7 一个; 参数 v DS 图.14. 典型反转二极管电流. I F = f(v SDS ); 情况: v GS = 0 v; 参数 t j 图.15. normalised avalanche 活力比率. W DSS % = f(t sp ); 情况: i D = 2.5 一个图.16. avalanche 活力测试电路. 024681012 0 1 2 3 4 5 6 vds/v qg/nc vds = 14v vds = 44v 20 40 60 80 100 120 140 tmb / c 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 WDSS% 0 0.5 1 1.5 2 0 10 20 30 40 如果/一个 vsds/v tj/v = 150 25 L t.u.t. VDD RGS r 01 VDS -id/100 + - 调往 VGS 0 W DSS = 0.5 ⋅ LI D 2 ⋅ BV DSS /( BV DSS − V DD ) january 1998 6 rev 1.100

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