飞利浦 半导体
PMV60EN
µ
trenchmos™ 增强 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 15 january 2003 5 的 12
9397 750 10895
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5. 特性
表格 4: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C 30--v
T
j
=
−
55
°
C 27--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
c1-2v
T
j
= 150
°
C 0.6 - - V
T
j
=
−
55
°
C - - 2.2 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=30v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C --1
µ
一个
T
j
= 150
°
C - - 100
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
= 0 V - 10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
=2a;图示 7 和 8
T
j
=25
°
C - 47 55 m
Ω
T
j
= 150
°
C - 79.9 93.5 m
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
= 1.5 一个; 图示 7 - 6072m
Ω
动态 特性
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 3 一个; v
DD
=15v; v
GS
=10v;图示 13 - 9.4 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 1.2 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 1.9 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 30 v; f = 1 mhz; 图示 11 - 350 - pF
C
oss
输出 电容 - 70 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 50 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; r
L
=15
Ω
; v
GS
=10v; r
G
=6
Ω
-5-ns
t
r
上升 时间 -7-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 16 - ns
t
f
下降 时间 - 5.5 - ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 1.5 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.79 1.2 V