mitsubishi 半导体 <应用 明确的 intelligent 电源 单元>
PS11015
flat-根基 类型
insulated 类型
jan. 2000
TC
2.3
3.1
4.0
6.0
4.3
0.044
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
—
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
阻抗
情况
标识
Item
比率 单位
(便条 2)
—
(图. 3)
60 hz sinusoidal 交流 应用 在 所有 terminals 和
这 根基 加设护板 为 1 分钟.
挂载 screw: m3.5
T
j
T
stg
T
C
V
iso
—
接合面 温度
存储 温度
单元 情况 运行 温度
分开 电压
挂载 torque
–20 ~ +125
–40 ~ +125
–20 ~ +100
2500
0.78 ~ 1.27
°
C
°
C
°
C
电压有效值
kg·cm
总的 系统
便条 2) 这 item 定义 这 最大 接合面 温度 为 这 电源 elements (igbt/二极管) 的 这 asipm 至 确保 safe 运作. 如何-
总是, 这些 电源 elements 能 endure 接合面 温度 作 高 作 150
°
c instantaneously . 至 制造 使用 的 这个 额外的 tem-
perature allowance, 一个 详细地 study 的 这 精确的 应用 情况 是 必需的 和, accordingly, 需要 信息 是 要求
至 是 提供 在之前 使用.
情况
标识 Item
比率
反相器 igbt (1/6)
反相器 fwdi (1/6)
brake igbt
brake fwdi
转换器 di (1/6)
情况 至 fin, 热的 grease 应用 (1 单元)
rth(j-c)
Q
rth(j-c)
F
rth(j-c)
QB
rth(j-c)
FB
rth(j-c)
FR
rth(c-f)
最小值
热的 阻抗
典型值 最大值
—
—
—
—
—
—
单位
(图. 3)
情况 温度 度量 要点 (3mm 从 这 根基 表面)
联系 thermal 阻抗
—0.1
V
CC
≤
400v, 输入 = 在 (一个-shot)
tj = 125
°
c 开始
13.5v
≤
V
DH
= v
DB
≤
16.5v
V
CC
≤
400v, tj
≤
125
°
c,
ic < i
OL
(cl) 运作 水平的, 输入 = 在
13.5v
≤
V
DH
= v
DB
≤
16.5v
V
V
—
V
FBr
I
RRM
V
FR
ton
tc(在)
toff
tc(止)
trr
集电级-发射级 饱和 电压
fwdi 向前 电压
brake igbt
集电级-发射级 饱和 电压
brake 二极管 向前 电压
转换器 二极管 反转 电流
转换器 二极管 电压
切换 时间
fwd 反转 恢复 时间
V
ce(sat)
V
EC
比率
V
DH
= v
DB
= 15v, 输入 = 在, tj = 25
°
c, i
C
= 20a
情况
标识 Item
最小值 典型值 最大值
单位
• 非 destruction
• f
O
输出 用 保护 运作
电的 特性
(tj = 25
°
c, v
DH
= 15v, v
DB
= 15v 除非 否则 指出)
tj = 25
°
c, i
C
= –20a, 输入 = 止
• 非 destruction
• 非 protecting 运作
• 非 f
O
输出
V
ce(sat)br
V
DH
= 15v, 输入 = 在, tj = 25
°
c, i
C
= 8a
tj = 25
°
c, i
F
= 8a, 输入 = 止
V
R
= v
RRM
, tj = 125
°
C
tj = 25
°
c, i
F
= 10a
1/2 桥 inductive 加载, 输入 = 在
V
CC
= 300v, ic = 20a, tj = 125
°
C
V
DH
= 15v, v
DB
= 15v
便条 : ton, toff 包含 延迟 时间 的 这 内部的 控制
电路
短的 电路 忍耐力
(输出, arm, 和 加载,
短的 电路 模式)
切换 soa
—
—
—
—
—
0.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.2
1.1
0.4
2.9
2.9
3.5
2.9
8
1.5
1.5
0.6
1.8
1.0
V
V
毫安
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
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