PZT751T1G_集成电路资料查询网

PZT751T1
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图示 5. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
0.05
1.0
0
NPN
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 毫安 I
C
= 100 毫安 I
C
= 500 毫安 I
C
= 2.0 一个
−10
−4.0
−2.0
−1.0
−0.5
−0.2
−0.1
−0.02
−0.01
−1.0 −2.0 −5.0 −10 −20 −50 −100
100

s
1.0 ms
T
一个
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
MPS75
0
MPS75
1
线 限制
热的 限制
第二 损坏 限制
−0.05
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
PNP
I
B
, 根基 电流 (毫安)
PNP
图示 6. 集电级 饱和 区域
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
I
C
= −10 毫安 I
C
= −100 毫安
I
C
= −500 毫安 I
C
= −2.0 一个
−0.05
−1.0
0
−0.1
−0.2
−0.3
−0.4
−0.5
−0.6
−0.7
−0.8
−0.9
−0.1 −0.2 −0.5 −1.0 −2.0 −5.0 −10 −20 −50 −100−200 −500
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
I
C
, 集电级 电流
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
图示 7. safe 运行 范围
T
一个
= 25
°
C
1.0 ms
T
C
= 25
°
C
100

s
MPS65
0
MPS65
1
线 限制
热的 限制
第二 损坏 限制
图示 8. safe 运行 范围
NPN

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PZT751T1 http://onsemi.com 4 图示 5. 集电级饱和区域 I B , 根基电流 (毫安) 0.05 1.0 0 NPN 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 V CE , collector−emitter 电压 (伏特) 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 T J = 25 ° C I C = 10 毫安 I C = 100 毫安 I C = 500 毫安 I C = 2.0 一个 −10 −4.0 −2.0 −1.0 −0.5 −0.2 −0.1 −0.02 −0.01 −1.0 −2.0 −5.0 −10 −20 −50 −100 100  s 1.0 ms T 一个 = 25 ° C T C = 25 ° C MPS75 0 MPS75 1 线限制热的限制第二损坏限制 −0.05 V CE , collector−emitter 电压 (伏特) PNP I B , 根基电流 (毫安) PNP 图示 6. 集电级饱和区域 V CE , collector−emitter 电压 (伏特) T J = 25 ° C I C = −10 毫安 I C = −100 毫安 I C = −500 毫安 I C = −2.0 一个 −0.05 −1.0 0 −0.1 −0.2 −0.3 −0.4 −0.5 −0.6 −0.7 −0.8 −0.9 −0.1 −0.2 −0.5 −1.0 −2.0 −5.0 −10 −20 −50 −100−200 −500 10 4.0 2.0 1.0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 I C , 集电级电流 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 V CE , collector−emitter 电压 (伏特) 图示 7. safe 运行范围 T 一个 = 25 ° C 1.0 ms T C = 25 ° C 100  s MPS65 0 MPS65 1 线限制热的限制第二损坏限制图示 8. safe 运行范围 NPN

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