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资料编号:577184
 
资料名称:IRFB16N60L
 
文件大小: 149.87K
   
说明
 
介绍:
SMPS MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com

repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 12)
开始 t
J
= 25°c, l = 2.5mh, r
G
= 25
,
I
= 16a.(看 图示 14a)
I
SD
16a, di/dt
650a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°c.
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
C
oss
eff.(er) 是 一个 fixed 电容 那 stores 这 一样 活力
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.

θ


静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 600 ––– ––– V
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.39 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 385 460
m
V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0 ––– 5.0 V
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 50 µA
––– ––– 2.0 毫安
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
R
G
内部的 门 阻抗 ––– 0.79 –––
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
gfs 向前 跨导 8.3 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 100
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 30 nC
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 46
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 20 –––
t
r
上升 时间 ––– 44 ––– ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 28 –––
t
f
下降 时间 ––– 5.5 –––
C
iss
输入 电容 ––– 2720 –––
C
oss
输出 电容 ––– 260 –––
C
rss
反转 转移 电容 ––– 20 ––– pF
C
oss
eff.
有效的 输出 电容 ––– 120 –––
C
oss
eff. (er)
有效的 输出 电容 ––– 100 –––
(活力 related)
avalanche 特性
标识
参数 典型值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力.
d
––– mJ
I
AR
avalanche 电流
Ã
––– 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– mJ
热的 阻抗
标识 参数 典型值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
h
––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
h
––– 62
最大值
0.4
V
DS
= 25v
ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
16
31
最大值
310
V
GS
= 0v,v
DS
= 0v 至 480v
g
I
D
= 16a
R
G
= 1.8
V
GS
= 10v, 看 图. 11a &放大; 11b
f
V
GS
= 0v
I
D
= 16a
V
DS
= 480v
V
GS
= 10v, 看 图. 7 &放大; 15
f
V
DD
= 300v
V
GS
= 30v
f = 1mhz, 打开 流
情况
V
DS
= 50v, i
D
= 9.0a
V
GS
= -30v
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 600v, v
GS
= 0v
V
DS
= 480v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 9.0a
f
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