RFD16N05_集成电路资料查询网

6-168
所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certiﬁcation.
Intersil 半导体 产品 是 出售 用 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 规格 在 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 Intersil 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 Intersil 或者 它的 附属机构 为 它的 使用; 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部 这个 将 结果
从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
为 信息 关于 intersil 公司 和 它的 产品, 看 网 站点
http://www.intersil.com
x
额外的刺激 模型
(rfd16n05l)
.子电路定义 rfd16n05l213;rev 04/08/92
*nominal 温度 = 25
o
C
.模型 mosmod nmos (vto=2.054 kp=24.73 是=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u w=1u)
Vto 21 6 0.448
Rsource 8 7 RDSMOD 0.614e-3
Rdrain 5 16 RDSMOD 27.38e-3
.模型 rdsmod res (tc1=3.66e-3 tc2=1.46e-5)
.模型 rvtomod res (tc1=-1.81e3 tc2=1.41e-6)
ebreak 11 7 17 18 70.9
.模型 rbkmod res (tc1=1.01e-3 tc2=5.21e-8)
.模型 dbkmod d (rs=8.82e-2 trs1=-2.01e-3 trs2=7.32e-10)
.模型 dbdmod d (是=1.34e-13 rs=1.21e-2 trs1=1.64e-3 trs2=2.59e-6 +cjo=1.13e-9 tt=4.14e-8)
Cin 6 8 1.21e-9
Ca 12 8 3.33e-9
.模型 s1amod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-4.25 voff=-2.25)
.模型 s1bmod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-2.25 voff=-4.25)
.模型 dplcapmod d (cjo=5.22e-10 是=1e-30 n=10)
Cb 15 14 3.11e-9
.模型 s2amod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-0.65 voff=4.35)
.模型 s2bmod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=4.35 voff=-0.65)
Rgate 9 20 2.98
Lgate 1 9 1.38e-9
Ldrain 2 5 1.0e-12
Lsource 3 7 1.0e-9
Dbody 7 5 DBDMOD
Dbreak 5 11 DBKMOD
Dplcap 10 5 DPLCAPMOD
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg610681
Evto 20 6 18 8 1
It8171
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD m=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD m=0.01
Rbreak 17 18 RBKMOD 1
Rin 6 8 1e9
Rvto 18 19 RVTOMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 8 19 直流 1
.ends
rfd16n05l, rfd16n05lsm

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6-168 所有 intersil 半导体产品是制造的, 聚集和测试下面 ISO9000 质量系统 certiﬁcation. Intersil 半导体产品是出售用描述仅有的. Intersil 公司 reserves 这正确的至制造改变在电路设计和/或者规格在任何时间和- 输出注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至核实那数据薄板是电流在之前放置顺序. 信息陈设用 Intersil 是相信至是精确和可依靠的. 不管怎样, 非责任是 assumed 用 Intersil 或者它的附属机构为它的使用; 也不为任何 infringements 的专利权或者其它权利的第三部这个将结果从它的使用. 非执照是准予用牵涉或者否则下面任何专利权或者专利权权利的 intersil 或者它的附属机构. 为信息关于 intersil 公司和它的产品, 看网站点 http://www.intersil.com x 额外的刺激模型 (rfd16n05l) .子电路定义 rfd16n05l213;rev 04/08/92 *nominal 温度 = 25 o C .模型 mosmod nmos (vto=2.054 kp=24.73 是=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u w=1u) Vto 21 6 0.448 Rsource 8 7 RDSMOD 0.614e-3 Rdrain 5 16 RDSMOD 27.38e-3 .模型 rdsmod res (tc1=3.66e-3 tc2=1.46e-5) .模型 rvtomod res (tc1=-1.81e3 tc2=1.41e-6) ebreak 11 7 17 18 70.9 .模型 rbkmod res (tc1=1.01e-3 tc2=5.21e-8) .模型 dbkmod d (rs=8.82e-2 trs1=-2.01e-3 trs2=7.32e-10) .模型 dbdmod d (是=1.34e-13 rs=1.21e-2 trs1=1.64e-3 trs2=2.59e-6 +cjo=1.13e-9 tt=4.14e-8) Cin 6 8 1.21e-9 Ca 12 8 3.33e-9 .模型 s1amod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-4.25 voff=-2.25) .模型 s1bmod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-2.25 voff=-4.25) .模型 dplcapmod d (cjo=5.22e-10 是=1e-30 n=10) Cb 15 14 3.11e-9 .模型 s2amod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=-0.65 voff=4.35) .模型 s2bmod vswitch (ron=1e-5 roff=0.1 von=4.35 voff=-0.65) Rgate 9 20 2.98 Lgate 1 9 1.38e-9 Ldrain 2 5 1.0e-12 Lsource 3 7 1.0e-9 Dbody 7 5 DBDMOD Dbreak 5 11 DBKMOD Dplcap 10 5 DPLCAPMOD Eds 14 8 5 8 1 Egs 13 8 6 8 1 Esg610681 Evto 20 6 18 8 1 It8171 MOS1 16 6 8 8 MOSMOD m=0.99 MOS2 16 21 8 8 MOSMOD m=0.01 Rbreak 17 18 RBKMOD 1 Rin 6 8 1e9 Rvto 18 19 RVTOMOD 1 S1a 6 12 13 8 S1AMOD S1b 13 12 13 8 S1BMOD S2a 6 15 14 13 S2AMOD S2b 13 15 14 13 S2BMOD Vbat 8 19 直流 1 .ends rfd16n05l, rfd16n05lsm

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