首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:577295
 
资料名称:RFD15N06LESM
 
文件大小: 95.3K
   
说明
 
介绍:
15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号RFD15N06LESM的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-149
文件 号码
4079.1
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
pspice™ 是 一个 商标 的 microsim 公司.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
rfd15n06le, rfd15n06lesm
15a, 60v, 0.065 ohm, 静电释放 rated, 逻辑
水平的, n-频道 电源 mosfets
这些 n-频道 电源 MOSFETs 制造的 使用
这 megafet 处理. 这个 处理, 这个 使用 特性
sizes approaching 那些 的 lsi 电路, 给 最佳的
utilization 的 硅, 结果 在 优秀的 效能.
它们 是 设计 为 使用 在 产品 此类 作
切换 regulators, 切换 转换器, 发动机 驱动器,
接转 驱动器. 这些 晶体管 运作 直接地
从 整体的 电路.
formerly developmental 类型 ta49165.
特性
15a, 60v
•r
ds(在)
= 0.065
2kv 静电释放 保护
温度 compensating pspice™ 模型
顶峰 电流 vs 脉冲波 宽度 曲线
uis 比率 曲线
175
o
c 运行 温度
related literature
- tb334 “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
RFD15N06LE 至-251aa F15N6L
RFD15N06LESM 至-252aa F15N6L
便条: 订货, 使用 全部 部分 号码. 订货 录音带
卷轴, 增加 后缀 9A 部分 号码, i.e. rfd15n06lesm9a.
G
D
S
电子元件工业联合会 至-251aa 电子元件工业联合会 至-252aa
流 (flange)
流 (flange)
数据 薄板 april 1999
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com