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资料编号:606765
 
资料名称:SGL60N90DG3
 
文件大小: 363.41K
   
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sgl60n90dg3 rev. a1
SGL60N90DG3
©2002 仙童 半导体 公司
图 1. 典型 输出 特性
图 2. 典型 饱和 电压 特性
图 3. 饱和 电压 vs. 情况
温度 在 variant 电流 水平的
图 4. 饱和 电压 vs. v
GE
图 5. 饱和 电压 vs. v
GE
图 6. 饱和 电压 vs. v
GE
012345
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
9V
8V
7V
V
GE
= 6v
一般 发射级
T
C
= 25
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
0123
0
20
40
60
80
100
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
= 25
━━
T
C
= 125
------
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
-50 0 50 100 150
0
1
2
3
一般 发射级
V
GE
= 15v
80A
60A
30A
I
C
= 10a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
]
4 8 12 16 20
0
2
4
6
8
10
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
一般 发射级
T
C
= -40
80A
60A
30A
I
C
= 10a
4 8 12 16 20
0
2
4
6
8
10
一般 发射级
T
C
= 25
80A
60A
30A
I
C
= 10a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
4 8 12 16 20
0
2
4
6
8
10
门-发射级 电压, v
GE
[V]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
一般 发射级
T
C
= 125
80A
60A
30A
I
C
= 10a
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