sgl60n90dg3 rev. a1
SGL60N90DG3
©2002 仙童 半导体 公司
图 7. 电容 特性
图 8. 切换 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 切换 特性 vs.
集电级 电流
图 10. 门 承担 特性
图 11. soa 特性
0 50 100 150 200
10
100
1000
10000
V
CC
= 600v
I
C
= 60a
V
GE
=
±
15V
T
C
= 25
℃
Tdoff
Tf
Tdon
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0.1 1 10
100
1000
10000
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
Cres
Coes
Cies
电容 [pf]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
10 20 30 40 50 60
100
1000
V
CC
= 600v
R
G
= 51
Ω
V
GE
=
±
15V
T
C
= 25
℃
Tdoff
Tf
Tdon
Tr
摆动 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
0 100 200 300
0
3
6
9
12
15
一般 发射级
V
CC
= 600v, r
L
= 10
Ω
T
C
= 25
℃
门-发射级 电压, v
GE
[V]
门 承担, q
g
[nC]
1 10 100 1000
0.1
1
10
100
单独的 nonrepetitive 脉冲波
T
C
= 25
℃
曲线 必须 是 darated
成直线地 和 增加
在 温度
10us
100us
1ms
10ms
直流 运作
I
C
最大值 (搏动)
I
C
最大值 (持续的)
集电级 电流 , i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1e-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
热的 回馈, zthjc [
o
c/w]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]
图 12. 瞬时 热的 阻抗 的 igbt
Pdm
t1
t2
职责 因素 d = t1 / t2
顶峰 tj = pdm
×
zthjc + t
C
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