sgl60n90dg3 rev. a1
SGL60N90DG3
©2002 仙童 半导体 公司
0 40 80 120 160 200 240
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
rr
t
rr
I
F
= 60a
T
C
= 25
℃
di/dt [a/
㎲
]
反转 恢复 时间, t
rr
[us]
0
20
40
60
80
100
120
反转 恢复 电流, i
rr
[A]
图 14. 反转 恢复 特性
vs. di/dt
图 13. 向前 特性
图 15. 反转 恢复 特性 vs.
向前 电流
图 16. 反转 电流 vs. 反转 电压
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
向前 电压, v
FM
[V]
向前 电流, i
F
[A]
图 17. 接合面 电容
0 300 600 900
1e-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 150
℃
------
反转 curent, i
R
[uA]
反转 电压, v
R
[V]
0.1 1 10 100
0
50
100
150
200
250
T
C
= 25
℃
电容, c
j
[pF]
反转 电压, v
R
[V]
10 20 30 40 50 60
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
rr
t
rr
向前 电流, i
F
[A]
反转 恢复 时间, t
rr
[us]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
di/dt = -20a/
㎲
T
C
= 25
℃
反转 恢复 电流, i
rr
[A]