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资料编号:607235
 
资料名称:SHF-0289
 
文件大小: 529.98K
   
说明
 
介绍:
DC-3 GHz, 1.0 Watt GaAs HFET
 
 


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2
522 almanor ave., sunnyvale, ca 94086 phone: (800) smi-mmic
http://www.stanfordmicro.com
初步的
eds-101241 rev 一个
shf-0289 直流-3ghz, 1 watt gaas hfet
初步的
绝对 最大 比率
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个 的 这些 参数
将 导致 永久的 损坏.
retemaraPlobmyS
etulosbA
mumixaM
egatlovecruos-ot-niarDV
SD
V21+
egatlovecruos-ot-etaGV
SG
v0otv5-
erutarepmeTgnitarepOT
PO
c°58+otc54-
rewoPtupnIFRP
NI
Wm002
erutarepmeTlennahCT
HC
C°571+
erutarepmeTegarotST
GTS
c°571+ot56-
便条: i/v 曲线 是 带去 使用 脉冲波 抽样 技巧. 这个
结果 在 低 职责 循环 电流 通过 这 设备 和 因此 非常
低 电源 水平. 它 是 不 推荐 那 这些 度量 是
带去 在 d.c. 模式, 作 过度的 电流 可以 结果 在 损坏 至 这
设备.
plot 的 i
D
vs. v
DS
为 v
GS
= -2.2v 至 0v
V
DS
(伏特)
I
D
(放大器
)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
012345678
V
GS
= 0 v
V
GS
= - 0.2 v
V
GS
= - 0.4
V
V
GS
= - 0.6 v
V
GS
= - 0.8 v
V
GS
= - 1.0 v
V
GS
= - 1.2 v
V
GS
= -1.4 v
V
GS
= -1.6 v
V
GS
= -1.8
V
V
GS
= -2.0 v
V
GS
= -2.2 v
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