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资料编号:620350
 
资料名称:SPD35N10
 
文件大小: 556.02K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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2002-01-30
页 5
初步的 数据
SPD35N10
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0 1 2 3 4 5 6
V
8
V
DS
0
10
20
30
40
50
60
70
一个
90
I
D
一个
b
c
d
e
V
GS
[V]=
一个= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0 10 20 30 40 50 60 70 80
一个
100
I
D
0
100
200
300
m
500
R
ds(在)
V
GS
[V]=
一个= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
b
c
d
一个
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
2 3 4 5
V
7
V
GS
0
10
20
30
40
一个
60
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
0 5 10 15 20 25
一个
35
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
S
24
g
fs
e
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