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资料编号:620496
 
资料名称:SPD50P03L
 
文件大小: 77.21K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS-P Power - Transistor
 
 


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2001-12-06
页 7
初步的 数据
SPD50P03L
13 典型值 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
), par.:
I
D
= -50 一个
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
25 50 75 100 125
°C
175
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
mJ
275
E
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= -50 一个 搏动
0 20 40 60 80 100 120 140
nC
180
|Q
|
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
SPD50P03L
V
GS
0.2
V
ds 最大值
0.5
V
ds 最大值
0.8
V
ds 最大值
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
-27
-28
-29
-30
-31
-32
-33
-34
V
-36
SPD50P03L
V
(br)dss
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