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半导体 组
SPP80N03
典型值 输出 特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
一个
190
SPP80N03
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 8.5
k
k 9.0
l
P
tot
= 300w
l 10.0
典型值 流-源-在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0 20 40 60 80 100 120
一个
150
I
D
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
Ω
0.019
SPP80N03
R
ds(在)
V
GS
[v] =
一个
一个
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
8.5
k
k
9.0
l
l
10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在) 最大值
0 1 2 3 4
V
6
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
一个
70
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
= f
(
I
D
)
;
T
j
= 25°c
参数:
g
fs
0 10 20 30 40
一个
60
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
S
85
g
fs
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