2002-01-31
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SPD11N10
SPU11N10
初步的 数据
SIPMOS
电源-晶体管
产品 summary
V
DS
100 V
R
ds(在)
170 m
I
D
10.5 一个
特性
n-频道
增强 模式
175°c 运行 温度
avalanche 评估
d
v
/d
t
评估
p-to251 p-to252
标记
11N10
11N10
类型 包装 订货 代号
SPD11N10 p-to252 q67042-s4121
SPU11N10 p-to251 q67042-s4122
最大 比率
,在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
持续的 流 电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
10.5
7.8
一个
搏动 流 电流
T
C
=25°C
I
d puls
41.2
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
=10.5 一个 ,
V
DD
=25v,
R
GS
=25
E
作
60 mJ
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
=10.5a,
V
DS
=80v,
d
i
/d
t
=200a/µs,
T
jmax
=175°C
d
v
/d
t
6 kv/µs
门 源 电压
V
GS
±20
V
电源 消耗
T
C
=25°C
P
tot
50 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55... +175
°C
iec climatic 类别; din iec 68-1 55/175/56
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