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资料编号:621012
资料名称:
SPW47N60C2
文件大小: 121.31K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-10-07
页 6
SPW47N60C2
最终 数据
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
一个
110
I
D
6V
6.5v
7V
7.5v
8V
8.5v
9V
10V
20V
12V
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
20
40
60
80
一个
110
I
D
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
Ω
0.5
R
ds(在)
9V
10V
12V
20V
6V
6.5v
7V
7.5v
8V
8.5v
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 30 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
0.28
0.32
Ω
0.38
SPW47N60C2
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
2
4
6
8
10
12
14
V
18
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
一个
220
I
D
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