SSM3J01F
2003-03-27
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 p 频道 mos 类型
SSM3J01F
高 速 切换 产品
小 包装
低 在 阻抗 : ron = 0.4
Ω
(最大值) (v
GS
=
−
4 v)
: ron = 0.6
Ω
(最大值) (v
GS
=
−
2.5 v)
低 门 门槛 电压
最大 比率
(ta
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DS
30 v
门-源 电压 V
GSS
10 v
直流 i
D
700
流 电流
脉冲波 i
DP
1400
毫安
流 电源 消耗 (ta
25°c) P
D
200 mw
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
标记 相等的 电路
处理 precaution
当 处理 单独的 设备 (这个 是 不 还 挂载 在 一个 电路 板), 是 确信 那 这 环境
是 保护 相反 静电的 electricity. operators 应当 wear 反对-静态的 clothing, 和 containers 和 其它
物体 那 来到 在 直接 联系 和 设备 应当 是 制造 的 反对-静态的 材料.
单位: mm
电子元件工业联合会 至-236mod
jeita sc-59
toshiba 2-3f1f
重量: 0.012 g (典型值.)