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资料编号:627226
 
资料名称:STP25NM60N
 
文件大小: 273.54K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
 
 


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stp25nm60n - stf25nm60n - stb25nm60n/-1 - stw25nm60n
2/12
表格 3: 绝对 最大 比率
(*) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许
(1) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(2) i
SD
20 一个, di/dt
400 一个/µs, v
DD
=80%
V
(br)dss
.
表格 4: 热的 数据
表格 5: avalanche 特性
电的 特性
(t
情况
=25
°
c 除非 否则 指定)
表格 6: 在 /止
(2) 典型的 值 在 转变 止 在 inductive 加载
标识 参数 单位
至-220/i²pak
至-247/d²pak
至-220fp
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 600 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
)600v
V
GS
门- 源 电压 ± 25 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25
°
C
20 20 (*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100
°
C
12.8 12.8 (*) 一个
I
DM
(1)
流 电流 (搏动) 80 80 (*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25
°
C
160 40 W
减额 因素 1.28 0.32 w/
°
C
dv/dt (2) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 TBD v/ns
T
stg
存储 温度
55 至 150
°
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150
°
C
至-220/i²pak
至-247/d²pak
至-220fp
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 0.78 3.1
°
c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5
°
c/w
T
l
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的 300
°
C
标识 参数 最大值 值 单位
I
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值)
TBD 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25
°
c, i
D
= i
, v
DD
= 50 v)
TBD mJ
标识 参数 测试 情况 单位
最小值 典型值 最大值
V
(br)dss
流-源 损坏
电压
I
D
= 1 毫安, v
GS
= 0 600 V
dv/dt(2) 流 源 电压
斜度
vdd=tbd, id=tbd, vgs=tbd TBD v/ns
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, t
C
= 125
°
C
1
10
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 v 100 nA
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa 2
3
4V
R
ds(在
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 10 一个 0.140 0.170
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