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资料编号:6273
 
资料名称:08090
 
文件大小: 205.95K
   
说明
 
介绍:
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 6 2004-04-05
PTF080901
测试 电路
Test 电路 图式 为 960 mhz
Circuit assembly 信息
DUT PTF080901 LDMOSTransistor
PCB 0.76 mm. [.030”] 厚,
ε
r
= 4.5 2 oz. 铜 rogers tmm4
Microstrip 电的 特性 在 960 mhz 维度: l xW(mm.) 维度: l xW(在.)
l
1 0.075
λ
, 50
12.83 x 1.35 0.505 x 0.053
l
2 0.101
λ
, 50
17.27 x 1.35 0.680 x 0.053
l
3 0.053
λ
, 50
9.14 x 1.35 0.360 x 0.053
l
4 0.289
λ
, 73.66
50.80 x 0.75 2.000 x 0.030
l
5 0.061
λ
, 7.48
9.27 x 16.26 0.365 x 0.640
l
6 0.097
λ
, 7.93
14.73 x 15.24 0.580 x 0.600
l
7,
l
8 0.132
λ
, 52.47
22.61 x 1.27 0.890 x 0.050
l
9 0.105
λ
, 7.93
16.13 x 15.24 0.635 x 0.600
l
10 0.134
λ
,38.02
22.35 x 2.16 0.880 x 0.085
l
11 0.029
λ
, 50
4.95 x 1.37 0.195 x 0.053
QQ1
LM7805
1µF
C8
C16
33pF
C17
rf_在
1.4pF
C13
DUT
2.2pf
C12
33pF
C7
L2
35V
35V
C18 C19
50V
C20
L1
C15
33pF
C14
0.5pF
C9
10µF
35V
0.1µF
50V
C10
rf_输出
080901_sch
1µF
10µF
10µF 0.1µF
5.1k
V
R2
33 pf
C3
10µF, 35 v
C1
0.001µF
C23
l
1
l
2
l
3
l
5
l
8
l
6
l
7
l
9
l
10
l
4
l
11
VDD
22 k
V
R6
10k
V
R5
3.3k
V
R7
1.2k
V
R3
Q1
BCP56
33pF
C4
4.3pF
C5 C6
6.2pf
10µF
35V
C11
1.3k
V
R4
0.001µF
C21
0.001µF
C22
0.1µF
50V
C2
10
V
R1
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