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资料编号:627806
 
资料名称:SUD40N10-25
 
文件大小: 62.6K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 100-V (D-S) 175`C MOSFET
 
 


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sud40n10-25
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-4
文档 号码: 71140
s–00171—rev. 一个, 14-二月-00
  
  
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗 vs. 接合面 温度 源-流 二极管 向前 电压
(normalized)
– 在-阻抗 (
T
J
– 接合面 温度 (
c) V
SD
– 源-至-流 电压 (v)
r
ds(在)
)
– 源 电流 (一个)i
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 40 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 175
C
0
 
safe 运行 范围
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
10
0.1
0.1 1 10 1000
限制 用 r
ds(在)
1
100
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-情况
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
110
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
最大 avalanche 流 电流
vs. 情况 温度
T
C
– 情况 温度 (
c)
– 流 电流 (一个)i
D
0
10
20
30
40
50
0 25 50 75 100 125 150 175
0.2
0.1
职责 循环 = 0.5
10 ms
100 ms
1 s, 直流
30
100
s
10
s
100
1 ms
0.05
0.02
单独的 脉冲波
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