sles048c − july 2003 − 修订 march 2004
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这些设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
一般 信息
终端 分派
这 tas5112 是 offered 在 一个 thermally 增强 56-管脚
TSSOPdfd (热的 垫子 是 在 这 顶), 显示 作 跟随.
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31
30
29
地
地
GREG
OTW
sd_cd
sd_ab
pwm_dp
pwm_dm
重置_cd
pwm_cm
pwm_cp
dreg_rtn
M3
M2
M1
DREG
pwm_bp
pwm_bm
重置_ab
pwm_am
pwm_ap
地
DGND
地
DVDD
GREG
地
地
地
GVDD
bst_d
pvdd_
D
pvdd_d
输出_d
输出_d
地
地
输出_c
输出_c
pvdd_
C
pvdd_c
bst_c
bst_b
pvdd_b
pvdd_b
输出_b
输出_b
地
地
输出_一个
输出_一个
pvdd_
一个
pvdd_一个
bst_一个
GVDD
地
dfd 包装
(顶 视图)
绝对 最大 比率
在 operating 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
TAS5112
单位
dvdd 至 dgnd –0.3 v 至 4.2 v
gvdd 至 地 33.5 v
pvdd_x 至 地 (直流 电压) 33.5 v
pvdd_x 至 地 (尖刺 电压
(2)
) 48 v
输出_x 至 地 (直流 电压) 33.5 v
输出_x 至 地 (尖刺 电压
(2)
) 48 v
bst_x 至 地 (直流 电压) 48 v
bst_x 至 地 (尖刺 电压
(2)
) 53 v
greg 至 地
(3
)
14.2 v
pwm_xp,重置, m1, m2, m3, sd,
OTW
–0.3 v 至 dvdd + 0.3 v
最大 运行 接合面
温度, t
J
–40
°
c 至 150
°
C
存储 温度 –40
°
c 至 125
°
C
(1)
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些是 压力
比率仅有的,和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之外 那些 表明 下面 “recommended
运行 conditions” 是 不 暗指. 暴露 至 绝对-
最大-评估情况 为 扩展 时期将 影响 设备
可靠性.
(2)
这 持续时间 的 电压 尖刺 应当 是 较少 比 100 ns.
(3)
greg 是 treated 作 一个 输入 当 这 greg 管脚 是 过载 用
gvdd 的 12 v.
订货 信息
T
一个
包装 描述
0
°
c 至 70
°
C TAS5112DFD 56-管脚 小 tssop
(1)
为 这 大多数 电流 规格 和 包装 信息, 谈及 至
我们的 网站点 在www.德州仪器.com.
包装 消耗 比率
包装
R
θ
JC
(
°
c/w)
R
θ
JA
(
°
c/w)
56-管脚dad tssop 1.14 看 便条 1
(1)
这 tas5112 包装 是 thermally 增强 为 传导性的
冷却使用 一个 exposed metal 垫子 范围. 它 是 impractical 至 使用 这
设备 和 这 垫子 exposed 至 包围的 空气 作 这仅有的 热温sinking
的 这 设备.
为 这个 reason, r
θ
ja,
一个 系统 参数 那 characterizes 这
热的treatment, 是 提供 在 这
应用 信息
部分
的 这 数据 薄板. 一个 例子 和 discussion 的 典型 系统
R
θ
JA
值 是 提供 在 这
热的 信息
部分.这个
例子 提供 额外的 信息 关于 这 电源
消耗比率. 这个 例子 应当 是使用 作 一个 涉及 至
计算 这 热温 消耗 比率 为 一个 明确的 应用. 德州仪器
应用 engineering 提供 技术的 支持 至 设计
heatsinks 如果需要.
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