TC28C43_集成电路资料查询网

4-99
telcom 半导体, 公司
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TC18C43
TC28C43
TC38C43
bicmos 电流 模式
pwm 控制者
1000
25 50 75 100 125 150
包围的 温度 (
°
c)
P (mw)
D
800
600
400
200
0
SOIC
斜度 = – 4mw/
°
C
CerDIP
斜度 = – 6.4mw/
°
C
PDIP
斜度 = – 8mw/
°
C
典型 特性
(内容.)
释放 时间
C
T
100nsec
100pF
1
µ
秒 10
µ
秒
1nF
10nF
dead 时间 vs. c
T
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
–60 –40–20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度 (
°
c)
I
DD
(毫安)
V
在
= 15v
f = 100khz
I
DD
vs. 温度
频率 的 运作
频率
C
T
10 khz
100pF
100kHz 1 mhz
1nF
10 nf
R
T
= 10 k
R
T
= 22 k
R
T
= 47 k
R
T
= 100 k

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4-99 telcom 半导体, 公司 7 6 5 4 3 1 2 8 TC18C43 TC28C43 TC38C43 bicmos 电流模式 pwm 控制者 1000 25 50 75 100 125 150 包围的温度 ( ° c) P (mw) D 800 600 400 200 0 SOIC 斜度 = – 4mw/ ° C CerDIP 斜度 = – 6.4mw/ ° C PDIP 斜度 = – 8mw/ ° C 典型特性 (内容.) 释放时间 C T 100nsec 100pF 1 µ 秒 10 µ 秒 1nF 10nF dead 时间 vs. c T 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 –60 –40–20 0 20 40 60 80 100 120 140 温度 ( ° c) I DD (毫安) V 在 = 15v f = 100khz I DD vs. 温度频率的运作频率 C T 10 khz 100pF 100kHz 1 mhz 1nF 10 nf R T = 10 k R T = 22 k R T = 47 k R T = 100 k

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