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资料编号:655789
 
资料名称:TN28F020-90
 
文件大小: 878.8K
   
说明
 
介绍:
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
28F020
E
14
开始
程序编制
(4)
应用 v
PPH
(1)
plscnt = 0
写 设置-向上
程序 cmd
写 程序
核实 cmd
读 数据
从 设备
写 读 cmd
核实
数据
Inc
PLSCNT
=25?
Last
地址?
程序编制
完成
程序
错误
写 程序
cmd (一个/d)
时间 输出 10 µs
应用 v
PPL
(1)
应用 v
PPL
(1)
时间 输出 6 µs
Increment
地址
N
总线
运作
Command Comments
initialize 脉冲波-计数
设置-向上
程序
数据 = 40h
程序 有效的 地址/数据
备用物品
持续时间 的 程序
运作 (t
WHWH1
)
程序
核实
(2)
数据 = c0h; stops
程序 行动
(3)
保卫-用 t
WHGL
读 字节 至 核实
程序编制
备用物品
wait 为 v
PP
ramp 至
V
PPH
(1)
备用物品
对比 数据 输出 至
数据 预期的
备用物品 wait 为 v
PP
ramp 至 v
PPL
(1)
数据 = 00h, resets 这
寄存器 为 读
行动
Y
N
Y
Y
N
0245_04
注释:
1.
直流 特性
为 这 值 的 v
PPH
和 v
PPL
.
2. 程序 核实 是 执行 仅有的 之后 字节 程序编制. 一个 最终 读/对比 将 是 执行 (optional) 之后 这
寄存器 是 写 和 这 读 command.
3. 谈及 的
principles 的 运作
.
4.
提醒:
这 algorithm
必须 是 followed
至 确保 恰当的 和 可依靠的 运作 的 这 设备.
图示 4. 28f020 快-脉冲波 程序编制 algorithm
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