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资料编号:657220
 
资料名称:TPC8401
 
文件大小: 750.53K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8401
2002-05-17
4
n-ch
电的 特性
(ta = 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0 v
±10 µa
流 截
止 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v
10 µa
V
(br) dss
I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0 v
30
源 损坏
电压
V
(br) dsx
I
D
= 10 毫安, v
GS
=
20 v
15
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安
0.8
2.5 V
R
ds (在)
V
GS
= 4 v, i
D
= 3 一个
21 32
源 在 阻抗
R
ds (在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 3 一个
14 21
m
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
= 10 v, i
D
= 3 一个
4 8
S
输入 电容 C
iss
1700
反转 转移 电容 C
rss
260
输出 电容 C
oss
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
380
pF
上升 时间 t
r
10
转变
在 时间 t
20
下降 时间 t
f
35
切换 时间
转变
止 时间 t
120
ns
总的 门 承担 (门
加 门
流)
Q
g
40
源 承担 1 Q
gs1
28
流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
24 v, v
GS
= 10 v, i
D
= 6 一个
12
nC
流 比率 和 特性
(ta =
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转
电流
脉冲波 (便条 1) I
DRP
— — — 24 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
= 6 一个, v
GS
= 0 v
— —
1.2 v
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