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资料编号:663668
 
资料名称:UPA807T-T1
 
文件大小: 56.87K
   
说明
 
介绍:
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA807T
3
集电级 电流 i
C
(毫安)
增益 带宽 产品 f
T
(ghz)
增益 带宽 product
vs. 集电级 current
噪音 图示 (db)
集电级 电流 i
C
(毫安)
噪音 figure
vs. 集电级 current
集电级 电流 i
C
(毫安)
嵌入 电源 增益 |s
21e
|
2
(db)
嵌入 电源 gain
vs. 集电级 current
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
喂养-后面的 电容 c
re
(pf)
喂养-后面的 capacitance
vs. 集电级 至 根基 voltage
f = 2 ghz
V
CE
= 2 v
15
10
5
1 2 3 5 7 10 20
V
CE
= 1 v
V
CE
= 2 v
10
5
0
1 2 3 5 7 10 20
V
CE
= 1 v
V
CE
= 2 v
f = 2 ghz
3
2
1
1 2 3 5 7 10
f = 1 mhz
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
V
CE
= 1 v
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