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资料编号:696023
 
资料名称:VP2020L
 
文件大小: 52.9K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
vp2020l, bss92
vishay siliconix
www.vishay.com
11-2
文档 号码: 70210
s-04279
rev. e, 16-六月-01



限制
VP2020L BSS92
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
流-源
V
GS
= 0 v, i
D
=
10
一个
220
流-源
损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
250
一个
220
200
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
1 毫安
1.9
0.8
2.5
0.8
2.8
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
10
100
门-身体 泄漏 I
GSS
T
J
= 125
C
50
nA
V
DS
= 0.8 x v
(br)dss
, v
GS
= 0 v
1
T
J
= 125
C
100
零 门 电压
流 电流
I
DSS
V
DS
=
200 v, v
GS
= 0 v
60
一个
流 电流
DSS
T
J
= 125
C
200
V
DS
=
60 v, v
GS
= 0 v
0.2
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
=
10 v, v
GS
=
4.5 v
250
100 毫安
V
GS
=
10 v, i
D
=
0.1 一个 11.5 20
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
0.1 一个 15 20
流-源
在-阻抗
b
r
ds(在)
T
J
= 125
C
28 40
在-阻抗
b
ds(在)
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
0.05 一个 15
T
J
= 125
C
28
向前
V
DS
=
10 v, i
D
=
0.1 一个 170 100
向前
跨导
b
g
fs
V
DS
=
25 v, i
D
=
0.1 一个 170 60
mS
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
=
0.3 一个, v
GS
= 0 v
0.9
1.2 V
动态
输入 电容 C
iss
30 70 130
输出 电容 C
oss
V
DS
=
25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
10 20 30
pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz
3 10 15
切换
c
t
d(在)
6 10
转变-在 时间
t
r
V
DD
=
25 v, r
L
= 250
8 15
I
D
0.1 一个, v
GEN
=
10 v
ns
t
d(止)
D GEN
R
G
= 25
18 30
转变-止 时间
t
f
R
G
= 25
17 25
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试. VPDQ20
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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