IGW75N60T
trenchstop 序列
q
电源 半导体
8 rev. 2.1 dec-04
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 100nC 200nC 300nC 400nC
0V
5V
10V
15V
480V
120V
c,
电容
0V 10V 20V
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
门 承担
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
=75 一个)
图示 18. 典型 电容 作 一个 函数
的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
=0v,
f
= 1 mhz)
I
c(sc)
, 短的 电路
集电级 电流
12V 14V 16V 18V
0A
250A
500A
750A
1000A
t
SC
,
短的 电路 承受 时间
10V 11V 12V 13V 14V
0µs
2µs
4µs
6µs
8µs
10µs
12µs
V
GE
,
门
-
emittetr 电压
V
GE
,
门
-
emitetr 电压
图示 19. 典型 短的 电路 集电级
电流 作 一个 函数 的 门-
发射级 电压
(
V
CE
≤
400v,
T
j
≤
150
°
c)
图示 20. 短的 电路 承受 时间 作 一个
函数 的 门-发射级 电压
(
V
CE
=600V
,
开始 在
T
J
=
25°c,
T
Jmax
<150°c)