IGW75N60T_集成电路资料查询网

IGW75N60T
trenchstop 序列
 q
电源 半导体
6 rev. 2.1   dec-04
t,
切换 时间
0A 40A 80A 120A
10ns
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
t,
切换 时间
5Ω 10Ω 15Ω
10ns
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
I
C
,
集电级 电流
R
G
,
门 电阻
图示 9. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 集电级 电流
(inductive 加载,
T
J
=175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
R
G
= 5
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 10. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 门 电阻
(inductive 加载,
T
J
= 175°c,
V
CE
= 400v, v
GE
= 0/15v,
I
C
= 75a,
动态 测试 电路 在 图示 e)
  
  
t,
切换 时间
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
100ns
t
r
t
d(在)
t
f
t
d(止)
V
ge(th
)
,
门
-
emitt trshold 电压
-50°c 0°C 50°C 100°C 150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
最小值
典型值
最大值
T
J
,
接合面 温度
T
J
,
接合面 温度
图示 11. 典型 切换 时间 作 一个
函数 的 接合面 温度
(inductive 加载,
V
CE
= 400v,
V
GE
= 0/15v,
I
C
= 75a,
R
G
=5
Ω
,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 12. 门-发射级 门槛 电压 作
一个 函数 的 接合面 温度
(
I
C
= 1.2ma)

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IGW75N60T trenchstop 序列 q 电源半导体 6 rev. 2.1 dec-04 t, 切换时间 0A 40A 80A 120A 10ns 100ns t r t d(在) t f t d(止) t, 切换时间 5Ω 10Ω 15Ω 10ns 100ns t r t d(在) t f t d(止) I C , 集电级电流 R G , 门电阻图示 9. 典型切换时间作一个函数的集电级电流 (inductive 加载, T J =175°c, V CE = 400v, v GE = 0/15v, R G = 5 Ω , 动态测试电路在图示 e) 图示 10. 典型切换时间作一个函数的门电阻 (inductive 加载, T J = 175°c, V CE = 400v, v GE = 0/15v, I C = 75a, 动态测试电路在图示 e) t, 切换时间 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C 100ns t r t d(在) t f t d(止) V ge(th ) , 门 - emitt trshold 电压 -50°c 0°C 50°C 100°C 150°C 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 最小值典型值最大值 T J , 接合面温度 T J , 接合面温度图示 11. 典型切换时间作一个函数的接合面温度 (inductive 加载, V CE = 400v, V GE = 0/15v, I C = 75a, R G =5 Ω , 动态测试电路在图示 e) 图示 12. 门-发射级门槛电压作一个函数的接合面温度 ( I C = 1.2ma)

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