ZXMC4559DN8
公布 5 - 将 2005
4
半导体
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
60 V I
D
=250
一个, V
GS
=0V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
1.0
AV
DS
=60v, V
GS
=0V
门-身体 泄漏 I
GSS
100 nA V
GS
=
20v, V
DS
=0V
门-源 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 V I
D
=250
一个, V
DS
=V
GS
静态的 流-源 在-状态
阻抗
(1)
R
ds(在)
0.055
0.075
V
GS
=10v, I
D
=4.5a
V
GS
=4.5v, I
D
=4.0a
向前 跨导
(1) (3)
g
fs
10.2 S V
DS
=15v,i
D
=4.5a
动态
(3)
输入 电容 C
iss
1063 pF
V
DS
=30v, V
GS
=0v,
f=1MHz
输出 电容 C
oss
104 pF
反转 转移 电容 C
rss
64 pF
切换
(2) (3)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
3.5 ns
V
DD
=30v, I
D
=1A
R
G
≅
6.0
,v
GS
=10V
上升 时间 t
r
4.1 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
26.2 ns
下降 时间 t
f
10.6 ns
门 承担 Q
g
11.0 nC V
DS
=30v,v
GS
=5v,
I
D
=4.5a
总的 门 承担 Q
g
20.4 nC
V
DS
=30v,v
GS
=10v,
I
D
=4.5a
门-源 承担 Q
gs
4.1 nC
门-流 承担 Q
gd
5.1 nC
源-流 二极管
二极管 向前 电压
(1)
V
SD
0.85 1.2 V T
J
=25°c, I
S
=5.5a,
V
GS
=0V
反转 恢复 时间
(3)
t
rr
22 ns T
J
=25°c, I
F
=2.2a,
di/dt= 100a/
s
反转 恢复 承担
(3)
Q
rr
21.4 nC
n-频道
电的 特性
(在 T
amb
= 25°c 除非 否则 陈述).
注释
(1) 量过的 下面 搏动 情况. 宽度
300
s. 职责 循环
2% .
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
: 点此下载
