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20v p-频道 增强 模式 场效应晶体管
ZXM62P02E6
SUMMARY
V
(br)dss
=-20v; r
ds(在)
=0.20

;
I
D
=-2.3a
描述
这个 新 一代 的 高 密度 mosfets 从 zetex utilises 一个 唯一的
结构 那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换
速. 这个 制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源
管理 产品.
特性
•
低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门槛
•
低 门 驱动
•
sot23-6 包装
产品
•
直流 - 直流 转换器
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电源 管理 功能
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disconnect switches
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发动机 控制
订货 信息
设备 卷轴 大小
(英寸)
录音带 宽度 (mm) QUANTITY
每 卷轴
ZXM62P02E6TA 7 8mm 压印浮凸 3000  单位
ZXM62P02E6TC 13 8mm 压印浮凸 10000 单位
设备 标记
•
2P02
顶 视图
105
sot23-6
provisional  公布 一个 - july 1999

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20v p-频道增强模式场效应晶体管 ZXM62P02E6 SUMMARY V (br)dss =-20v; r ds(在) =0.20  ; I D =-2.3a 描述这个新一代的高密度 mosfets 从 zetex utilises 一个唯一的结构那结合这益处的低在-阻抗和快切换速. 这个制造它们完美的为高效率, 低电压, 电源管理产品. 特性 • 低在-阻抗 • 快切换速 • 低门槛 • 低门驱动 • sot23-6 包装产品 • 直流 - 直流转换器 • 电源管理功能 • disconnect switches • 发动机控制订货信息设备卷轴大小 (英寸) 录音带宽度 (mm) QUANTITY 每卷轴 ZXM62P02E6TA 7 8mm 压印浮凸 3000 单位 ZXM62P02E6TC 13 8mm 压印浮凸 10000 单位设备标记 • 2P02 顶视图 105 sot23-6 provisional 公布一个 - july 1999

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