ZXTP2014Z
半导体
公布 2 - 8月 2005
4
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 CONDITIONS
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
-180 -200 V I
C
= -100
一个
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CER
-180 -200 V I
C
=-1
一个, RB
1k
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
-140 -160 V I
C
=-10ma*
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
-7.0 -8.0 V I
E
=-100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
1 -20
-0.5
nA
一个
V
CB
= -150v
V
CB
= -150v, T
amb
=100
C
集电级 截-止 电流 I
CER
R
1k
1 -20
-0.5
nA
一个
V
CB
= -150v
V
CB
= -150v, T
amb
=100
C
发射级 截-止 电流 I
EBO
1 -10 nA V
EB
=-6v
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
-37
-50
-80
-255
-60
-75
-115
-330
mV
mV
mV
mV
I
C
= -0.1a, I
B
=-5ma*
I
C
= -0.5a, I
B
= -50ma*
I
C
=-1a,i
B
= -100ma*
I
C
=-3a,i
B
= -300ma*
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
-910 -1010 mV I
C
=-3a,i
B
= -300ma*
根基-发射级 转变 在 电压 V
是(在)
-800 -900 mV I
C
=-3a,v
CE
=-5v*
静态的 向前 电流 转移 比率 h
FE
100
100
45
225
200
100
5
300
I
C
= -10ma, V
CE
=-5v*
I
C
=-1a,v
CE
=-5v*
I
C
=-3a,v
CE
=-5v*
I
C
= -10a, V
CE
=-5v*
转变 频率 f
T
120 MHz I
C
= -100ma, V
CE
= -10v
f=50MHz
输出 电容 C
OBO
33 pF V
CB
= -10v, f= 1MHz*
切换 时间 t
在
t
止
42
636
ns I
C
=-1a,v
CC
= -50v,
I
B1
=-i
B2
= -100ma
电的 特性
(在 t
amb
= 25°c 除非 否则 陈述)
* 量过的 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度
300
s; 职责 循环
2%.
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