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资料编号:745124
 
资料名称:2SK3177
 
文件大小: 51K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3177
5
0.1 0.3 1 3 10 30 100
01020304050
2000
10000
1000
100
200
500
200
160
120
80
40
0
20
16
12
8
4
40 80 120 160 200
0
1000
500
50
100
20
10
200
500
300
30
100
3
10
1
0.1 0.3
1
3
10 30 100
di / dt = 50 一个 / µs
v = 0, ta = 25°c
GS
10
20
50
v = 0
f = 1 mhz
GS
Ciss
Coss
Crss
i = 15 一个
D
V
GS
V
DS
v = 150 v
100 v
50 v
DD
t
f
r
t
d(在)
t
d(止)
t
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
v = 10 v, v = 30 v
pw = 5 µs, 职责 < 1%
GS
DD
v = 150 v
100 v
50 v
DD
5000
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